| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING INSULATED CONDUCTORS. |
| 摘要 |
L'isolation entre le premier et le deuxième niveaux d'une couche de métallisation en aluminium dans des structures de circuits intégrés à semiconducteurs comprend une couche déposée de dioxyde de silicium riche en phosphore et aplanie par un plasma (14) et une couche pauvre en phosphore de dioxyde de silicium (15) déposée sur la couche riche en phosphore. |
| 申请公布号 |
EP0105915(A1) |
申请公布日期 |
1984.04.25 |
| 申请号 |
EP19830901662 |
申请日期 |
1983.04.07 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
LEVINSTEIN, HYMAN JOSEPH;POWELL, WILLIAM DAVID, JR.;SINHA, ASHOK KUMAR |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L23/532;(IPC1-7):01L23/48;01L27/02;01L29/227;01L29/34 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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