| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer auf einem elektrisch isolierenden Fremdsubstrat befindlichen integrierten Halbleiterschaltung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH499883(A) |
申请公布日期 |
1970.11.30 |
| 申请号 |
CH19690014534 |
申请日期 |
1969.09.26 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
GRABMAIER,JOSEF,DR. |
| 分类号 |
C30B15/00;C30B15/32;C30B19/00;H01L21/208;H01L23/29;H01L27/00;H01L27/12;(IPC1-7):H01L19/00;H01L7/00 |
主分类号 |
C30B15/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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