| 摘要 |
<p>DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA EMITIR UN FLUJO DE ELECTRONES.CONSISTE EN QUE EL CUERPO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UNA REGION DE SUPERFICIE DE TIPO N QUE SE ENCUENTRA JUNTO AL AREA DE SUPERFICIE DESDE LA CUAL SE EMITEN LOS ELECTRONES CALIENTES, QUE SIRVEN PARA FORMAR ENTRE LA PRIMERA REGION DE TIPO N Y DICHA AREA DE SUPERFICIE UNA CRESTA DE POTENCIAL QUE ESTA SEPARADA DE DICHA AREA DE SUPERFICIE DE MANERA QUE SE PRODUZCA EN EL CUERPO SEMICONDUCTOR UN CAMPO DE DERIVACION QUE ACELERE LOS ELECTRONES HACIA DICHA AREA DE SUPERFICIE. COMPRENDE UN CUERPOSEMICONDUCTOR (10) DE SILICIO MONOCRISTALINO QUE TIENE UN REGION (3) DE TIPO N, SEPARADA DE LA REGION (2) DEL CUERPO (10) POR UNA BARRERA (1) QUE INCLUYE DOS UNIONES P-N SITUADAS ENTRE LA REGION (1) DE TIPO P Y LA PRIMERA Y SEGUNDA REGIONES (3) Y (2) RESPECTIVAMENTE, DOS CONEXIONES DE ELECTRODOS (12 Y 13) SIRVEN PARA CREAR UN SUMINISTRO DE ELECTRONES (24) CALIENTES QUE SON INYECTADOS DESDE LA REGION (2) A TRAVES DE LA BARRERA (1) EN LA REGION (3), Y EMITIDAS DESDE UN AREA (4) DEL CUERPO (10).</p> |
