| 发明名称 |
METHOD OF GAS-PHASE ETCHING SEMICONDUCTOR MATERIAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB1221839(A) |
申请公布日期 |
1971.02.10 |
| 申请号 |
GB19680031985 |
申请日期 |
1968.07.04 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
JOHN WHEELER BLAIR |
| 分类号 |
C30B31/06;C30B33/00;H01L21/306;H01L21/308 |
主分类号 |
C30B31/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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