| 发明名称 |
PROCEDURE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS DU TYPE MULTICOUCHES, PAR INTRODUCTION SELECTIVE D'UNE IMPURETE A PARTIR D'UN MASQUE |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>CE PROCEDE CONSISTE A PREPARER UN CORPS SEMICONDUCTEUR 1 MUNI DE REGIONS 8, 9 AYANT DES CONDUCTIVITES OPPOSEES ET QUI EST RECOUVERT PAR UNE PELLICULE D'OXYDE EPAISSE 19, A RECOUVRIR LES REGIONS 8 PAR UN PREMIER MASQUE 14, DONT LA VITESSE CHIMIQUE EST DIFFERENTE DE CELLE DE LA PELLICULE D'OXYDE, A INTRODUIRE UNE IMPURETE DU PREMIER TYPE DANS LA REGION 9, A RECOUVRIR LA REGION 8 PAR UN SECOND MASQUE 24 POUR LEQUEL LA VITESSE D'ATTAQUE CHIMIQUE EST DIFFERENTE DE CELLE DU PREMIER MASQUE, A RETIRER LE PREMIER MASQUE 14 SUR LES PARTIES RECOUVERTES PAR LE MASQUE 24 ET A INTRODUIRE UNE IMPURETE DU SECOND TYPE DANS LA PREMIERE REGION SEMICONDUCTRICE EN UTILISANT LE MASQUE 24.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX CIRCUITS CMOS.</P>
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| 申请公布号 |
FR2533749(A1) |
申请公布日期 |
1984.03.30 |
| 申请号 |
FR19830012886 |
申请日期 |
1983.08.04 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
KOUICHI NAGASAWA, SHUJI IKEDA, NORIO SUZUKI ET YOSHIO SAKAI;IKEDA SHUJI;SUZUKI NORIO;SAKAI YOSHIO |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/033;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/105;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/82;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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