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<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE, NOTAMMENT UN DISPOSITIF A CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS.</P><P>DANS CE DISPOSITIF COMPORTANT UNE MICROPLAQUETTE 1 POSSEDANT UN SUBSTRAT 3 ET UNE STRUCTURE DE CABLAGE FORMEE D'UNE PELLICULE ELECTRIQUEMENT ISOLANTE 5A, 5B ET DE CABLAGES METALLIQUES 2A, 2B, L'ELECTRODE PROTECTRICE 4 CONSTITUEE EN UN METAL RACCORDE AU SUBSTRAT 3 EST PREVUE ENTRE LE POURTOUR EXTERIEUR DE LA MICROPLAQUETTE ET LE CABLAGE METALLIQUE DE MANIERE A PENETRER DANS LA PELLICULE ISOLANTE 5A, 5B.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION ET ETANCHES A L'HUMIDITE.</P>
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