Method of manufacturing a monolithic integrated circuit.

摘要

Bei der Herstellung einer monolithisch integrierten Halbleiter-schaltung mit wenigstens zwei übereinander angeordneten Leitbahnebenen wird die jeweils zuletzt aufgebrachte strukturierte Metallisierung zunächst mit einer Polyimidschicht und letztere mit einer - durch Plasmaentladung erzeugten - Siliciumnitridschicht abgedeckt. Diese wird als Träger der neu aufzubringenden Leiterbahnebene verwendet. Auf diese Weise werden Unterbrechungen an den Überkreuzungsstellen von Leitbahnen, insbesondere aus Aluminium, vermieden. Außerdem wird das Haftvermögen im Vergleich zu unmittelbar auf einer Polyimidunterlage aufgebrachten Leiterbahnen verbessert.