| 发明名称 |
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR AVEC CANAL PERIMETRIQUE |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF MOSFET VERTICAL.</P><P>SELON L'INVENTION, IL COMPREND UNE SURFACE MAJEURE 114 AYANT UNE PORTION ACTIVE COMMANDEE PAR LA PORTE QUI EST ADJACENTE A UNE PORTION INACTIVE; UN CANAL PERIMETRIQUE 166 COMMANDE PAR LA PORTE EST DISPOSE A LA LIMITE ENTRE LES PORTIONS ACTIVE ET INACTIVE.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A PORTE ISOLEE.</P>
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| 申请公布号 |
FR2532785(A1) |
申请公布日期 |
1984.03.09 |
| 申请号 |
FR19830014225 |
申请日期 |
1983.09.06 |
| 申请人 |
RCA CORP |
发明人 |
RAYMOND THOMAS FORD, NORBERT WILLIAM BRACKELMANNS, CARL FRANKLING WHEATLEY, JR. ET JOHN MANNING SAVIDGE NEILSON;BRACKELMANNS NORBERT WILLIAM;WHEATLEY CARL FRANKLING JR;NEILSON JOHN MANNING SAVIDGE |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L27/08 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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