Reversal process for the production of chromium masks.

摘要

Bei dem Verfahren wird auf ein mit einer Chromschicht (2) beschichtetes Substrat (1) eine Positivlackschicht (3) aufgebracht, durch eine Belichtungsmaske, welche ein Maskenmuster aufweist, welches dem Negativ des gewünschten Musters aus Chrom entspricht, belichtet, entwickelt, und ganzflächig mit einer <= 10 nm dicken Schicht (4) aus Siliciumdioxid beschichtet. Dann wird die Photolackschicht (3) und die auf ihr liegende Siliciumdioxidschicht (4) abgehoben und schließlich die Chromschicht (2) trockengeätzt, wobei die noch vorhandene Siliciumdioxidschicht (4) als Ätzmaske dient. Chrommasken werden beispielsweise bei der Herstellung von Halbleiterschaltungen eingesetzt. Mit dem Umkehrprozeß lassen sich Strukturen, deren kleinste Abmessungen im Mikrometer- und Submikrometerbereich liegen, scharfkantig in Chromschichten übertragen.