| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UNE RESISTANCE INTEGREE SP FORMEE DANS UNE COUCHE EPITAXIALE N-EPI ET MUNIE D'AU MOINS UNE PRISE. POUR ELIMINER L'EFFET DE CHAMP ENTRE LA RESISTANCE SP ET LA COUCHE EPITAXIALE N-EPI, ON A FAIT EN SORTE QUE LA TENSION AUX EXTREMITES DE LA COUCHE EPITAXIALE SITUEE AU-DESSOUS DE LA RESISTANCE SUIVE LA TENSION AUX EXTREMITES DE LA RESISTANCE SP. DE PLUS, AU MOYEN DE COUCHES ENTERREES BN, LA COUCHE EPITAXIALE N-EPI EST COURT-CIRCUITEE AUX ENDROITS OU LA COUCHE DE RESISTANCE PRESENTE UN COURT-CIRCUIT, TEL QUE L'ENDROIT SITUE AU-DESSOUS DES CONTACTS DE LA PRISE CO.</P><P>APPLICATION: CIRCUITS INTEGRES EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE.</P>
|
