| 发明名称 |
DISPOSITIF A CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS DU TYPE BI-CMOS-IC ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS A CIRCUITS INTEGRES ET UN PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSTIF.</P><P>CE DISPOSITIF COMPREND UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR1, UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE2 ET DES REGIONS ENSEVELIES3, DETERMINANT DES REGIONS EN FORME D'ILOTS ISOLES, UNE REGION SEMICONDUCTRICE DIFFUSEE5 ENTRE LES ELEMENTS1 ET 4, UN TRANSISTOR BIPOLAIRE (NPN) ET DES TRANSISTORS (PMOS, NMOS) ETANT FORMES DANS LESDITES REGIONS EN FORME D'ILOTS.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX CIRCUITS INTEGRES COMPORTANT DES ELEMENTS BIPOLAIRES ET DES ELEMENTS MOS COMPLEMENTAIRES, A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION.</P>
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| 申请公布号 |
FR2531812(A1) |
申请公布日期 |
1984.02.17 |
| 申请号 |
FR19830013245 |
申请日期 |
1983.08.12 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
HIDEKI YASUOKA, YASUNOBU TANIZAKI, AKIRA MURAMATSU ET NORIO ANZAI;TANIZAKI YASUNOBU;MURAMATSU AKIRA;ANZAI NORIO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/76;H01L21/8249;H01L27/00;H01L27/06;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/82;H01L29/68 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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