发明名称 Ion-sensitive layer
摘要 The invention relates to a Ca<2+> ion-sensitive silicate glass layer which can be applied to a semiconductor substrate, in particular using the methods customary in semiconductor technology. By this means, for example, Ca<2+>-ion-sensitive field effect transistors (ISFETs), which work reliably over a long period, for aqueous solutions can be produced in an inexpensive manner.
申请公布号 DE3230147(A1) 申请公布日期 1984.02.16
申请号 DE19823230147 申请日期 1982.08.13
申请人 LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH 发明人 KUISL,MAX,DR.RER.NAT.
分类号 C03C4/18;G01N27/36;G01N27/414;(IPC1-7):G01N27/46 主分类号 C03C4/18
代理机构 代理人
主权项
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