| 摘要 |
<p>DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA GENERAR AL MENOS DOS HACES DE RADIACION DE FRECUENCIA PREFERIBLEMENTE DIFERENTE.CONSTA DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (3) QUE COMPRENDE UNA PRIMERA SUPERFICIE PRINCIPAL (4) Y UNA SEGUNDA SUPERFICIE PRINCIPAL (5), LAS CUALES SON SUSTANCIALMENTE PARALELAS; DE UNA PRIMERA ESTRUCTURA EN CAPAS (6, 7, 8, 9) DESARROLLADA SOBRE LA PRIMERA SUPERFICIE PRINCIPAL (4), QUE COMPRENDE UNA PRIMERA UNION PN (14); Y DE UNA SEGUNDA ESTRUCTURA EN CAPAS (10, 11, 12, 13) DESARROLLADA SOBRE LA SUPERFICIE PRINCIPAL OPUESTA (5) DEL SUSTRATO, QUE COMPRENDEUNA SEGUNDA UNION PN (15). LA DISTANCIA ENTRE LAS DOS CAPAS ACTIVAS (7, 11) EN LAS QUE SE GENERA LA RADIACION, ESTA DEFINIDA POR EL ESPESOR TOTAL DE LAS CAPAS INTERMEDI</p> |
