发明名称 |
METHOD OF FORMING AN INSULATING FILM ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
摘要 |
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申请公布号 |
GB2064219(B) |
申请公布日期 |
1984.02.15 |
申请号 |
GB19800037987 |
申请日期 |
1980.11.27 |
申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD |
发明人 |
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分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/56;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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