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发明名称 ELIMINATION PROCESS OF CRYSTAL DEFECTS PRODUCED IN N-TYPE LAYERS OF A SILICON SEMICONDUCTOR DEVICE BY PHOSPHORUS ION IMPLANTATION AND DEVICE PRODUCED BY THIS METHOD
摘要
申请公布号 EP0018520(B1) 申请公布日期 1984.02.15
申请号 EP19800101924 申请日期 1980.04.10
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 SCHMITT, ALFRED, DR.;SCHORER, GERD, DR.
分类号 H01L21/265;H01L21/322;(IPC1-7):01L21/322;01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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