发明名称 MOS-HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
摘要
申请公布号 DE3328058(A1) 申请公布日期 1984.02.09
申请号 DE19833328058 申请日期 1983.08.03
申请人 TOKYO SHIBAURA DENKI K.K. 发明人 HIRAKI,SHUN-ICHI;YOKOTA,YOSHIO;TSURU,KAZUO;YAWATA,SHIGEO
分类号 H01L21/265;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/28 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
地址