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发明名称
MOS-HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
摘要
申请公布号
DE3328058(A1)
申请公布日期
1984.02.09
申请号
DE19833328058
申请日期
1983.08.03
申请人
TOKYO SHIBAURA DENKI K.K.
发明人
HIRAKI,SHUN-ICHI;YOKOTA,YOSHIO;TSURU,KAZUO;YAWATA,SHIGEO
分类号
H01L21/265;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/28
主分类号
H01L21/265
代理机构
代理人
主权项
地址
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