发明名称 HALFGELEIDERINRICHTING OMVATTENDE EEN VELDEFFEKTTRANSISTOR MET EEN GEISOLEERDE STUURELEKTRODE EN EEN MET DE STUURELEKTRODE VERBONDEN BESCHERMINGSDIODE IN EEN GEMEENSCHAPPELIJK HALFGELEIDERLICHAAM.
摘要
申请公布号 NL173580(C) 申请公布日期 1984.02.01
申请号 NL19780000846 申请日期 1978.01.24
申请人 HITACHI, LTD. TE TOKIO. 发明人
分类号 G11C19/18;H01L21/76;H01L21/761;H01L21/762;H01L21/764;H01L27/02;H01L27/07;H03K17/0812;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 G11C19/18
代理机构 代理人
主权项
地址