| 发明名称 |
INTEGRATED PHOTOSENSITIVE MOS SEMICONDUCTOR CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5919372(A) |
申请公布日期 |
1984.01.31 |
| 申请号 |
JP19830116282 |
申请日期 |
1983.06.29 |
| 申请人 |
USA NASA |
发明人 |
MURUTSUBAN DARIUSU YAHABUBARA;DEBITSUTO ROBAATO DAAGO;JIYON CHIYAARUZU RIONZU |
| 分类号 |
H01L27/14;H01L27/146;H01L31/10 |
主分类号 |
H01L27/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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