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Dans un procédé de formage d'un dispositif semiconducteur complémentaire dans un substrat semiconducteur possédant une première et une deuxième régions actives, on dépose une mince couche d'oxyde de porte (27) sur le substrat (10) et on dépose une couche de polysilicium (31) sur la couche d'oxyde de porte (27). La couche de polysilicium (31) est ensuite dopée jusqu'au niveau désiré par des impuretés du type n, après quoi on forme sur la couche de polysilicium (31) une couche relativement épaisse d'oxyde de masquage (32). Des électrodes de porte en polysilicium (34, 35) et des conducteurs d'interconnexion (36) sont définis et gravés dans la couche de polysilicium dopée (31) laissant des parties (32A, 32B) de la couche d'oxyde de masquage sur les électrodes de porte (34, 35). La première et la deuxième régions actives sont alors masquées alternativement, tout en effectuant une implantation ionique de dopants pour former des régions de source et de collecteurs (38, 39 et 41, 42). Pendant l'implantation ionique les parties de masque (32A, 32B) protègent les électrodes de porte en polysilicium (34, 35) d'un dopage ultérieur. |
