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Un matériau amélioré d'oxynitrure de silicium à liaison chimique homogène et contenant une quantité minimale de silicium amorphe libre présente une amélioration de ses propriétés d'isolation électrique, de sa dureté, de sa résistance aux rayures et de son adhérence. Ce matériau formé sur la surface d'un substrat choisi est obtenu par une réaction de déposition de vapeur photochimique. On forme tout d'abord un mélange de vapeur comportant des réactifs d'ammoniac et de silane dans le rapport de 80/1 ou plus, des vapeurs de mercure servant de sensibilizateur pour la réaction photochimiques désirée et une quantité prédéterminée d'oxygène. Ce mélange de vapeur est introduit dans une chambre de déposition de vapeur photochimique contenant le substrat choisi alors qu'un rayonnement d'une longueur d'onde prédéterminée est introduit simultanément dans la chambre de déposition. Le rayonnement choisi induit une réaction photochimique entre le silane, l'ammoniac et l'oxygène afin de former de l'oxynitrure de silicium qui se dépose sur la surface du substrat. L'oxygène réagit avec le silane excédentaire en vue d'une liaison chimique et d'une incorporation homogène du silicium à partir du silane excédentaire dans le matériau d'oxynitrure de silicium. On prévient ainsi la formation de silicium amorphe libre à partir du silane et son incorporation hétérogène dans le matériau d'oxynitrure de silicium. |
