| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE D'OPTIMISATION DU DOPAGE DANS UN TRANSISTOR MOS, CE TRANSISTOR COMPRENANT UN CANAL DEFINI, DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DOPE 2, PAR UNE IMPLANTATION D'IONS APPARTENANT A UN PREMIER TYPE D'IONS DONNANT UN DOPAGE DU MEME TYPE D'IONS DONNANT UN DOPAGE DU MEME TYPE QUE CELUI DU SUBSTRAT 2, UNE SOURCE 4 ET UN DRAIN 6 DEFINIS, DANS LEDIT SUBSTRAT, PAR UNE IMPLANTATION D'IONS APPARTENANT A UN DEUXIEME TYPE D'IONS DONNANT UN DOPAGE DIFFERENT DE CELUI DU SUBSTRAT 2, ET UNE GRILLE 10 CARACTERISEE EN CE QUE L'ON REALISE, SOUS LA SOURCE 4 ET LE DRAIN 6 DU TRANSISTOR AU MOINS UNE IMPLANTATION D'IONS APPARTENANT AU DEUXIEME TYPE D'IONS DEFINISSANT DANS LE SUBSTRAT DEUX REGIONS LATERALES 16, 18, CETTE IMPLANTATION ETANT FAITE A UNE DOSE TELLE QU'ELLE COMPENSE LE DOPAGE DU SUBSTRAT 2 SANS EN INVERSER LE TYPE, LA GRILLE 10 DU TRANSISTOR SERVANT DE MASQUE A CETTE IMPLANTATION, ET EN CE QUE L'ON SOUMET LE SUBSTRAT 2 A UN RECUIT.</P>
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