发明名称 ELECTROLESS COPPER DEPOSITION SOLUTIONS.
摘要 Des solutions cuivriques convenablement complexées peuvent déposer sans passage d'un courant électrique des films conducteurs de cuivre sur des substrats catalysés non-conducteurs, à des valeurs de pH allant d'environ 2,0 à 3,5 dans le bain de placage, en utilisant un réducteur non-formaldéhyde tel que l'hypophosphite. Pour obtenir de bons résultats, les conditions suivantes sont essentielles: 1) le complexeur choisi doit pouvoir chélater le cuivre à des valeurs de pH entre 2,0 et 3,5 à des températures élevées (140o à 160oF); 2) il faut éviter des concentrations importantes de certains anions dans la solution de placage, tels que les halogénures et les acétates; et 3) il faut prévoir une surface catalytique "active" sur le substrat non-conducteur.
申请公布号 EP0096034(A1) 申请公布日期 1983.12.21
申请号 EP19820900581 申请日期 1981.12.21
申请人 MACDERMID INCORPORATED 发明人 FERRIER, DONALD R.;RHODENIZER, HAROLD L.;KUKANSKIS, PETER E.;GRUNWALD, JOHN 1
分类号 H05K3/18;C23C18/40;(IPC1-7):C23C3/02 主分类号 H05K3/18
代理机构 代理人
主权项
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