发明名称 |
CURRENT-DRIVEN ENFET LOGIC CIRCUITS |
摘要 |
Un circuit logique à transistors à effet de champ à enrichissement (ENFET) permet d'obtenir une plus grande capacité de sortance. Le circuit logique utilise une section d'inversion à source commune conventionnelle (19), mais comprend en outre une section à commande par courant (25) qui commande la section d'inversion à source commune. Un circuit logique inverseur commandé par courant est réalisé en utilisant un second transistor ENFET (23) pour commander la porte de la section d'inversion à source commune (19). Une porte NON-OU commandée par un courant électrique est réalisée en utilisant deux transistors ENFET en parallèle qui commandent la section inverseur à source commune. De même, une porte NON-ET commandée par un courant électrique est réalisée en utilisant un seul transistor ayant deux entrées de porte pour commander la section d'inversion à source commune. L'utilisation d'un circuit de balayage à dépassement permet de commander la vitesse de fonctionnement du dispositif. Le circuit logique est conçu pour offrir une grande capacité de sortance en comparaison au circuit inverseur à source commune, seul. |
申请公布号 |
WO8304352(A1) |
申请公布日期 |
1983.12.08 |
申请号 |
WO1983US00640 |
申请日期 |
1983.05.03 |
申请人 |
HUGHES AIRCRAFT COMPANY |
发明人 |
HICKLING, RONALD, M.;LANDENBERGER, JAY, E. |
分类号 |
H03K19/0944;H03K19/0952;(IPC1-7):03K19/094 |
主分类号 |
H03K19/0944 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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