| 发明名称 |
Sram cell with thin film transistor using two polysilicon layers |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
SG49365(A1) |
申请公布日期 |
1998.05.18 |
| 申请号 |
SG19970001476 |
申请日期 |
1997.05.10 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
SUNDARESAN RAVISHANKAR |
| 分类号 |
H01L21/8244;H01L27/11;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L21/8244 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
