半导体器件的升压电路

摘要

本发明公开了一种升压电路,该升压电路具有多个串联连接的升压单元,每个升压单元具有一个转移晶体管和一个电容器,将转移晶体管的输入端子、漏极和栅极连接起来,转移晶体管的源极为输出端子,电容器的第一端子连接至转移晶体管的源极,一个时钟信号供给电容器的第二端子,其中,转移晶体管是由一个三重阱构成的,该三重阱具有第一阱和第二阱,第一阱形成在一个半导体衬底上,第二阱形成在第一阱上。

主权项

1．一种升压电路，具有多个串联连接的升压单元，每个升压单元具有一个转移晶体管和一个电容器，将转移晶体管的输入端子、漏极和栅极连接起来，转移晶体管的源极为输出端子，电容器的第一端子连接至转移晶体管的源极，一个时钟信号供给电容器的第二端子，其特征在于：转移晶体管是由一个三重阱构成的，该三重阱具有第一阱和第二阱，第一阱形成在一个半导体衬底上，第二阱形成在第一阱上，并且该半导体衬底连接至一个参考电压，第一阱中的扩散层、第二阱中的第一扩散层、第二阱中的第二扩散层、电容器的第一端子以及转移晶体管的栅极连接起来，第一阱的导电类型与第一阱中的扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型与第二阱中的第一扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型不同于第二阱中的第二扩散层的导电类型。