发明名称 | 纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料的方法 | ||
摘要 | 一种用水为分散剂,以纯碳粉取代碳化硅粉制造高性能反应烧结碳化硅陶瓷的方法,采用添加外加剂的方法制成高分散的水基泥浆(料),采用注浆、挤塑、凝胶注成型的方法制成生坯,用控制粉料粒径以及烧蚀剂、填充剂加入量的方法,调整生(素)坯的孔径分布和单位体积碳含量,生坯经干燥后,经1550~21650℃真空下或1850~2050℃氩气气氛下渗硅烧结2小时,制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。 | ||
申请公布号 | CN1264687A | 申请公布日期 | 2000.08.30 |
申请号 | CN00114425.1 | 申请日期 | 2000.03.15 |
申请人 | 武汉工业大学 | 发明人 | 武七德;魏明坤;王怀德;韩建军;洪小林 |
分类号 | C04B35/573 | 主分类号 | C04B35/573 |
代理机构 | 湖北省专利事务所 | 代理人 | 王玉华;盛亚仙 |
主权项 | 1.一种用纯碳粉水基分散一步烧结法制造反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷材料的方法,其特征在于:以工业碳素材料、石墨纯碳粉为原料,经1000~1200隔氧焙烧,保1~4小时,将焙烧焦粗碎至1~2mm,加水分散剂、粘结剂、塑化剂、消泡剂经球磨,稀释后,水力旋流器分级,得d90=45μm,d10=5μm的碳粉泥浆;将该泥浆采用湿法成型法制成生坯;将生坯自然阴干和110℃烘干后,置于感应炉中的石墨坩埚内,按碳∶硅=1∶2.5比例加入粒径为5~15mm的硅粉,将生坯掩埋,在真空下以150~200℃/h的速度升温至1550~1650℃,保温1-2h止火或1800~2050℃氩气保护常压下气相渗硅,而制得反应烧结碳化硅陶瓷材料。 | ||
地址 | 430070湖北省武汉武昌珞狮路112号 |