PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DIELECTRICALLY ISOLATED SEMICONDUCTOR AREAS

摘要

Des régions isolées diélectriquement de silicium mono-cristallin sont produites en utilisant un procédé de fusion spécifique. Dans ce procédé, un substrat possèdant des régions (par exemple 8 ou 9) de silicium mono-cristallin en contact avec des régions de silicium non mono-cristallin (par exemple 4) recouvrant un matériau diélectrique (par exemple 6) sont traitées. En particulier, toute la région (ou les régions) de silicium non mono-cristallin est/sont fondue(s) en utilisant principalement de l'énergie radiante. On commence ensuite le refroidissement et le silicium fondu est converti en une région d'un matériau mono-cristallin (par exemple la zone 30). L'isolation est complétée en éloignant les régions appropriées de silicium mono-cristallin.