主权项 |
1.一种复合奈米纤维制造方法,包含以下步骤:植入一第一前驱物于一薄膜模板之复数奈米级细孔中,形成管状之复数第一奈米纤维;将该薄膜模板舖设于一集电体(current collector)上;植入一第二前驱物于该第一奈米纤维内部形成复数第二奈米纤维;及移除该薄膜模板得到复数复合奈米纤维。2.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中该薄膜模板系选自聚碳酸酯(polycarbonate,PC)薄膜与阳极氧化铝(anodic alumina,AA)薄膜的群组组合其中之一。3.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中形成该第一奈米纤维之方法系选自溶胶-凝胶(sol-gel)、化学含浸(chemical impregnation)、无电镀(electroless plating)、电化学沉积(electro-deposition)或回旋共振式电浆辅助化学沈积法(electron cyclotronresonance-chemical vapor deposition,ECR-CVD)的群组组合其中之一。4.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中形成该第二奈米纤维之方法,系采用选自溶胶-凝胶(sol-gel)、化学含浸(chemical impregnation)、无电镀(electroless plating)、电化学沉积(electro-deposition)或回旋共振式电浆辅助化学沈积法(electron cyclotron resonance-chemical vapor deposition,ECR-CVD)的群组组合其中之一。5.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中该第一奈米纤维之厚度系透过对该第一前驱物之浓度控制达成。6.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中该第一前驱物系选自高分子、无机物、金属氧化物、碳材的群组组合其中之一。7.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中该第二前驱物系选自高分子、无机物、金属氧化物、碳材的群组组合其中之一。8.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中该第一奈米纤维系选自Si与C的群组组合其中之一。9.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中该第二奈米纤维系选自Si、Sn、Ni、Cu、AOx及SnMy的群组组合其中之一;其中,A=Si,Sn,Sb,Co,Cu,Fe,Ni,Zn;0<x<2;M=Sb,Cu,Mg,Si;0<y<2。10.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中移除该薄膜模板之方法系选自化学蚀刻(chemical etching)与电浆蚀刻(plasma etching)的群组组合其中之一。11.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中该复合奈米纤维之长径比(aspect ratio)范围介于10至1000之间。12.如申请专利范围第1项所述复合奈米纤维制造方法,其中该复合奈米纤维之内径范围介于10至700nm,外径范围介于503至800nm。13.一种复合奈米纤维,包含:一管状之第一奈米纤维;及一第二奈米纤维,位于该第一奈米纤维中;其中该第一奈米纤维系藉植入一第一前驱物于一集电体(current collector)上之薄膜模板的复数奈米级细孔中先形成,而后藉植入一第二前驱物于该第一奈米纤维内部形成该第二奈米纤维,最后移除该薄膜模板得到该复合奈米纤维。14.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中该第一奈米纤维系选自Si与C的群组组合其中之一。15.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中该第二奈米纤维系选自Si、Sn、Ni、Cu、AOx及SnMy的群组组合其中之一;其中,A=Si,Sn,Sb,Co,Cu,Fe,Ni,Zn;0<x<2;M=Sb,Cu,Mg,Si;0<y<2。16.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中该复合奈米纤维之长径比(aspect ratio)范围介于10至1000之间。17.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中该复合奈米纤维之内径范围介于10至700nm,外径范围介于50至800nm。18.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中该薄膜模板系选自聚碳酸酯(polycarbonate,PC)薄膜与阳极氧化铝(anodic alumina,AA)薄膜的群组组合其中之一。19.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中形成该第一奈米纤维之方法系选自溶胶-凝胶(sol-gel)、化学含浸(chemical impregnation)、无电镀(electroless plating)、电化学沉积(electro-deposition)或回旋共振式电浆辅助化学沈积法(electron cyclotronresonance-chemical vapor deposition,ECR-CVD)的群组组合其中之一。20.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中形成该第二奈米纤维之方法,系采用选自溶胶-凝胶(sol-gel)、化学含浸(chemical impregnation)、无电镀(electroless plating)、电化学沉积(electro-deposition)或回旋共振式电浆辅助化学沈积法(electron cyclotronresonance-chemical vapor deposition,ECR-CVD)的群组组合其中之一。21.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中该第一奈米纤维之厚度系透过对该第一前驱物之浓度控制达成。22.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中该第一前驱物系选自高分子、无机物、金属氧化物、碳材的群组组合其中之一。23.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中该第二前驱物系选自高分子、无机物、金属氧化物、碳材的群组组合其中之一。24.如申请专利范围第13项所述复合奈米纤维,其中移除该薄膜模板之方法系选自化学蚀刻(chemicaletching)与电浆蚀刻(plasma etching)的群组组合其中之一。图式简单说明:第1图至第4图系本发明所提供复合奈米纤维制造方法之实施示意图。第5图为金属氧化物奈米纤维充放电(charge/discharge)过程。第6图为复合奈米纤维之充放电过程。第7图(a),(b)和(c)是分别显示以ECR-CVD法和溶胶-凝胶法结合PC模板合成中空奈米纤维之显微观察SEM(scanning electron microscopy)照片。第8图为溶胶-凝胶法制得之epoxy-based中空奈米碳纤维之管径随浓度变化情形。第9图(a)是复合SnO2/C奈米纤维之SEM照片;第9图(b)为未植入SnO2前之中空碳纤维;第9图(c)为植入SnO2后之复合SnO2/C奈米纤维之TEM(transmission electron microscopy)照片。第10图为SnO2及复合SnO2/C奈米纤维之0.2C充放电曲线。第11图显示SnO2及复合SnO2/C奈米纤维在不同充放电率(C-rate)下之电化学性能。 |