| 主权项 |
1.一种微机电系统之微镜,至少包括: 一垫层; 一含有掺质的铝层,位于该垫层上,且该含有掺质 的铝层包含大体上介于0.002wt%至0.3wt%的矽;以及 一保护层,位于该含有掺质的铝层上。 2.如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜, 更包括一纯铝层,位于该含有掺质的铝层下方。 3.如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜, 更包括一纯铝层,位于该含有掺质的铝层上方。 4.如申请专利范围第3项所述之微机电系统之微镜, 其中该纯铝层与该含有掺质的铝层接触。 5.如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜, 更包括两层纯铝层,分别位于该含有掺质的铝层的 上方与下方,使该含有掺质的铝层介于上述两层纯 铝层之间。 6.如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜, 其中该含有掺质的铝层的厚度大体上介于2000埃至 3000埃之间。 7.如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜, 其中该含有掺质的铝层包含大体上介于0.1wt%至0.25 wt%的矽。 8如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜, 其中该保护层系一钛层、或一氮化钛层或一钛层 与一氮化钛层之复合层。 9.如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜, 其中该保护层的厚度介于100埃至800埃之间。 10.如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜 ,其中该垫层系厚度介于300埃至500埃之间的二氧化 矽层。 11.如申请专利范围第1项所述之微机电系统之微镜 ,其中该含有掺质的铝层系不含铜的铝层。 12.一种微机电系统之微镜,至少包括: 一垫层; 一含有掺质的铝层,位于该垫层上,且该掺质系选 自由钕、钽、钴、镍、铬、钼、及钛构成的族群 或其组合,且该掺质的浓度大体上介于0.01wt%至2wt% 之间;以及 一保护层,位于该含有掺质的铝层上。 13.如申请专利范围第12项所述之微机电系统之微 镜,更包括一纯铝层,位于该含有掺质的铝层下方 。 14.如申请专利范围第12项所述之微机电系统之微 镜,更包括一纯铝层,位于该含有掺质的铝层上方 。 15.如申请专利范围第14项所述之微机电系统之微 镜,其中该纯铝层与该含有掺质的铝层接触。 16.如申请专利范围第12项所述之微机电系统之微 镜,更包括两层纯铝层,分别位于该含有掺质的铝 层的上方与下方,使该含有掺质的铝层介于上述两 层纯铝层之间。 17.如申请专利范围第12项所述之微机电系统之微 镜,其中该含有掺质的铝层的厚度大体上介于2000 埃至3000埃之间。 18.如申请专利范围第12项所述之微机电系统之微 镜,其中该保护层系一钛层、或一氮化钛层或一钛 层与一氮化钛层之复合层。 19.如申请专利范围第12项所述之微机电系统之微 镜,其中该保护层的厚度介于100埃至800埃之间。 20.如申请专利范围第12项所述之微机电系统之微 镜,其中该垫层系厚度介于300埃至500埃之间的二氧 化矽层。 21.一种微机电系统之微镜的制造方法,包括下列步 骤: 形成一垫层; 在该垫层上形成一含有掺质的铝层,该掺质系选自 由矽、钕、钽、钴、镍、铬、钼、及钛构成的族 群或其组合;以及 沈积一保护层于该含有掺质的铝层。 22.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,更包括在该含有掺质的铝层下方形 成一纯铝层。 23.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,更包括在该含有掺质的铝层上方形 成一纯铝层,且该纯铝层与该含有掺质的铝层接触 。 24.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,更包括在该含有掺质的铝层的上方 及下方分别形成一纯铝层,使该含有掺质的铝层介 于上述两层纯铝层之间。 25.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中该含有掺质的铝层的厚度大体 上介于2000埃至3000埃之间。 26.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中该保护层系一钛层、或一氮化 钛层或一钛层与一氮化钛层之复合层。 27.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中该保护层的厚度大体上介于100 埃至800埃之间。 28.如申请专利范围第27项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中该保护层的厚度大体上介于300 埃至500埃之间。 29.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中形成该含有掺质的铝层的方法 系由使用溅镀靶之物理气相沈积法完成。 30.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中形成该含有掺质的铝层的方法 包括形成一纯铝层,再掺入掺质于该纯铝层之中。 31.如申请专利范围第30项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中该掺入方法包括离子植入、热 扩散、或化学反应。 32.如申请专利范围第21项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中该含有掺质的铝层含有0.002wt% 至0.3wt%的矽。 33.如申请专利范围第32项所述之微机电系统之微 镜的制造方法,其中该含有掺质的铝层含有0.1wt%至 0.25wt%的矽。 图式简单说明: 第1图为本发明实施例之一用于微机电系统的微镜 剖面图。 第2图为本发明实施例另一用于微机电系统的微镜 剖面图。 第3图为本发明实施例另一用于微机电系统的微镜 剖面图。 第4图为本发明实施例另一用于微机电系统的微镜 剖面图。 第5图为本发明实施例另一用于微机电系统的微镜 剖面图。 第6图为本发明实施例另一用于微机电系统的微镜 剖面图。 第7图为本发明实施例之一在透明基板设有一对微 镜的示意图。 第8图为本发明实施例之一在数位微镜装置,其设 有多个微镜的示意图。 第9图为本发明制造用于微机电系统之微镜的制造 流程示意图。 |
