Transistor for integrated circuits.

摘要

Der Ausgangspunkt der Erfindung ist durch eine für IC's geeignete bipolare Transistorstruktur gegeben, wie sie in der DE-OS 30 29 553 beschrieben ist. Für diese Struktur ist wesentlich, daß die Basiszone eine größere laterale Querschnittsfläche als die unterhalb von ihr mit Abstand angeordnete und der Verminderung des Kollektor-Bahnwiderstands dienende vergrabene Zone (buried-layer) hat. Außerdem soll sie längs ihres Rands überall seitlich über die vergrabene Zone hinausragen. Aufgrund dieser Maßnahmen entsteht ein parasitärer Junction Feldeffekttransistor, der dafür sorgt, daß der Transistor eine erhebliche Vergrößerung seiner Durchbruchspannung erhält. Aufgabe der Erfindung ist es nun, noch eine weitere Erhöhung der Durchbruchspannung zu erreichen. Hierzu werden nun gemäß der Erfindung die Dotierung der den Transistor mit Ausnahme der vergrabenen Zone aufnehmenden epitaxialen Halbleiterschicht und damit die Grunddotierung als auch die Substratdotierung derart aufeinander abgestimmt, daß sich aufgrund einer bereits merklich unterhalb der CE-Durchbruchspannung liegenden Betriebsspannung eine Wechselwirkung zwischen den Raumladungszonen ergibt, die einerseits vom Basis-Kollektorübergang und andererseits vom Substrat-Kollektorübergang ausgehen und während des Betriebs des Transistors entstehen.