光罩、曝光方法及半导体装置之制造方法

摘要

本发明系提供一种藉由使梁部构造规则且简单，以便可提升图案之转印精度之光罩、使用该光罩之曝光方法、半导体装置之制造方法。构成梁部系藉由：第一梁部，其系对于X轴、Y轴倾斜延伸之第一梁12a，互相以等间隔排列复数者；及第二梁部，其系对于X轴、Y轴倾斜延伸且与第一梁12a交叉之第二梁12b，互相以等间隔排列复数者；在以支撑框11所包围之所有区域，成为规则正确之梁构造。而且在以支撑框11所包围之区域内，设定为了于被处理基板20重叠曝光之4个单位曝光区域10A~10D，重叠4个单位曝光区域10A~10D时，于任意位置至少存在2个单位曝光区域之薄膜13。

主权项

1.一种光罩,其系具有: 支撑框; 梁部,其系将以前述支撑框所包围之区域予以分割 者; 薄膜,其系形成在由前述梁部所分割之区域者;及 图案之开口,其系形成于前述薄膜,由应转印至被 曝光体之电路图案所互补分割者; 前述梁部具有: 第一梁部,其系对于构成用以指定前述图案之位置 之座标系之2个座标轴倾斜延伸之梁,互相以等间 隔排列复数者;及 第二梁部,其系对于前述2个座标轴倾斜延伸且与 前述第一梁部交叉之梁,互相以等间隔排列复数者 ; 在以前述支撑框所包围之区域内,设定用以于前述 被曝光体重叠曝光之4个单置曝光区域,于重叠4个 前述单置曝光区域时,于任意位置至少存在2个前 述单置曝光区域之前述薄膜。 2.如请求项1之光罩,其中 前述第一梁部系对于前述2个座标轴大致倾斜45而 延伸之梁,互相以等间隔排列复数所构成; 前述第二梁部系对于前述2个座标轴大致倾斜45而 延伸且与前述第一梁部正交之梁,互相以等间隔排 列复数所构成。 3.如请求项1之光罩,其中 前述第一梁部系于前述座标系以4/3之斜率延伸之 梁,互相以等间隔排列复数所构成; 前述第二梁部系与前述第一梁部正交之梁,互相以 等间隔排列复数所构成。 4.如请求项1之光罩,其中 前述第一梁部系于前述座标系以3/4之斜率延伸之 梁,互相以等间隔排列复数所构成; 前述第二梁部系与前述第一梁部正交之梁,互相以 等间隔排列复数所构成。 5.一种曝光方法,其系使用以下光罩进行曝光之方 法; 该光罩具有: 支撑框; 梁部,其系将以前述支撑框所包围之区域分割者; 薄膜,其系形成在由前述梁部所分割之区域者;及 图案之开口,其系形成于前述薄膜,由应转印至被 曝光体之电路图案所互补分割者; 前述梁部具有: 第一梁部,其系对于构成用以指定前述图案之位置 之座标系之2个座标轴倾斜延伸之梁,互相以等间 隔排列复数者;及 第二梁部,其系对于前述2个座标轴倾斜延伸且与 前述第一梁部交叉之梁,互相以等间隔排列复数者 ; 在以前述支撑框所包围之区域内,设定用以于前述 被曝光体重叠曝光之4个单位曝光区域,于重叠4个 前述单位曝光区域时,于任意位置至少存在2个前 述单位曝光区域之前述薄膜;重复进行以下工序, 以于前述被曝光体,将前述光罩之4个前述单位曝 光区域重叠曝光: 荷电粒子线照射工序,其系于前述光罩之4个前述 单位曝光区域照射荷电粒子线者;及 移动工序,其系移动前述光罩与前述被曝光体之相 对位置者。 6.一种半导体装置之制造方法,其系藉由重复以下 工序,以便形成图案之层:于基板形成被加工膜之 工序;于前述被加工膜上形成感光膜之工序;对于 前述感光膜将光罩之图案曝光之工序;及藉由将已 图案曝光之感光膜作为蚀刻掩膜,蚀刻前述被加工 膜,以便将前述被加工膜进行图案加工之工序; 其系使用以下光罩进行曝光制造半导体装置之方 法,该光罩,具有: 支撑框; 梁部,其系将以前述支撑框所包围之区域分割者; 薄膜,其系形成在由前述梁部所分割之区域者;及 图案之开口,该图案系形成于前述薄膜,应转印至 前述感光膜之电路图案已被互补分割者; 前述梁部具有: 第一梁部,其系对于构成为了指定前述图案之位置 之座标系之2个座标轴倾斜延伸之梁,互相以等间 隔排列复数者;及 第二梁部,其系对于前述2个座标轴倾斜延伸且与 前述第一梁部交叉之梁,互相以等间隔排列复数者 ; 在以前述支撑框所包围之区域内,设定为了于前述 感光膜重叠曝光之4个单置曝光区域,重叠4个前述 单位曝光区域时,于任意位置至少存在2个前述单 位曝光区域之前述薄膜; 对于前述感光膜将前述光罩之图案曝光之工序中, 重复进行以下工序,以于前述感光膜,将前述光军 之4个前述单位曝光区域重叠曝光: 荷电粒子线照射二序,其系于前述光罩之4个前述 单位曝光区域照射荷电粒子线者;及 移动工序,其系移动前述光罩与前述基板之相对位 置者。 图式简单说明: 图1系表示使用关于本实施型态之光罩实施曝光之 曝光装置之构成之一例。 图2系表示光罩之构成之一例之平面图。 图3为图2所示之光罩之模式剖面图。 图4系表示梁之详细构成图。 图5系为了说明用以在关于本实施型态之光罩配置 图案之互补分割处理之图。 图6系放大梁附近,表示实际之梁、边缘区域及图 案配置区域之大小关系之图。 图7系表示单位曝光区域10A之一部分之梁配置之图 。 图8系表示单位曝光区域10B之一部分之梁配置之图 。 图9系表示单位曝光区域10C之一部分之梁配置之图 。 图10系表示单位曝光区域10D之一部分之梁配置之 图。 图11系将图7~图10所示之梁配置全部重叠之图。 图12系表示可适用于第一实施型态之光罩之互补 曝光之晶粒尺寸之图。 图13系表示变更薄膜之图案配置区域之尺寸时之 可适用于关于第一实施型态之光罩之互补曝光之 晶粒尺寸之图。 图14(a)、(b)、(c)系表示关于本实施型态之光罩之 制作方法之一例之工序剖面图。 图15(a)、(b)系表示关于本实施型态之光罩之制作 方法之一例之工序剖面图。 图16(a)、(b)、(c)系表示关于本实施型态之光罩之 制作方法之一例之工序剖面图。 图17(a)、(b)、(c)、(d)、(e)系表示关于本实施型态 之半导体装置之制造方法之一例之工序剖面图。 图18系为了说明关于第二实施型态之光罩之梁配 置之图。 图19系表示关于第二实施型态之光罩之可适用于 互补曝光之晶粒尺寸之图。 图20系表示变更薄膜之图案配置区域之尺寸时之 关于第二实施型态之光罩之可适用于互补曝光之 晶粒尺寸之图。