发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种半导体装置之制造方法,该方法包含能确认形成在阵列基底上的电路或电路元件是否正常运行的非接触检测方法,并藉由消除形成缺陷产品之浪费,而能降低制造成本。利用形成在检查基底上的一次线圈和形成在阵列基底上的二次线圈整流和整形由电磁感应产生的电动势,由此将电源电压和驱动讯号传送给TFT基底上的电路或电路元件,以便将其驱动。
申请公布号 TWI286367 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW094144873 申请日期 2002.03.14
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 广木正明;山崎舜平
分类号 H01L21/8234(2006.01) 主分类号 H01L21/8234(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种半导体装置,包含: 在一基底上的一电路,其包含一薄膜电晶体;和 一线圈,其电连接至在基底上的该电路。 2.一种半导体装置,包含: 在一基底上的第一电路,其包含一薄膜电晶体; 一整流电路,其电连接至在基底上的该第一电路; 和 一线圈,其电连接至在基底上的整流电路。 3.一种半导体装置,包含: 在一基底上的第一电路,其包含一薄膜电晶体; 一波形整形电路,其电连接至在基底上的该第一电 路;和 一线圈,其电连接至在基底上的该波形整形电路。 4.一种半导体装置,包含: 在一基底上的第一电路,其包含一薄膜电晶体; 包含一电阻和一电容的第二电路,其电连接至在基 底上的该第一电路;和 一线圈,其电连接至在基底上的该第二电路。 5.一种半导体装置,包含: 在一基底上的第一电路,其包含一薄膜电晶体; 包含一二极体的第二电路,其电连接至在基底上的 该第一电路;和 一线圈,其电连接至在基底上的该第二电路。 6.一种半导体装置,包含: 在一基底上的第一电路,其包含一薄膜电晶体; 包含一二极体、一电容、和一电阻的第二电路,其 电连接至在基底上的该第一电路;和 一线圈,其电连接至在基底上的该第二电路。 7.如申请专利范围第1项的半导体装置, 其中藉由电磁感应以在线圈两端间产生一AC电压, 和 其中该AC电压受整形或整流以形成一分割讯号或 电源供应电压,而后供应至该电路。 8.如申请专利范围第2项的半导体装置, 其中藉由电磁感应以在线圈两端间产生一AC电压, 和 其中该AC电压受整流电路整流以形成一电源供应 电压,而后供应至该第一电路。 9.如申请专利范围第3项的半导体装置, 其中藉由电磁感应以在线圈两端间产生一AC电压, 和 其中该AC电压受整形以形成一分割讯号,而后供应 至该第一电路。 10.如申请专利范围第4项的半导体装置, 其中藉由电磁感应以在线圈两端间产生一AC电压, 和 其中该AC电压受第二电路整形以形成一分割讯号, 而后供应至该第一电路。 11.如申请专利范围第5项的半导体装置, 其中藉由电磁感应以在线圈两端间产生一AC电压, 和 其中该AC电压受第二电路整形以形成一分割讯号, 而后供应至该第一电路。 12.如申请专利范围第6项的半导体装置, 其中藉由电磁感应以在线圈两端间产生一AC电压, 和 其中该AC电压受第二电路整流以形成一电源供应 电压,而后供应至该第一电路。 13.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中该电 路包含一移位暂存器,一位准移位器,和一类比开 关。 14.如申请专利范围第2项的半导体装置,其中该第 一电路包含一移位暂存器,一位准移位器,和一类 比开关。 15.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中该电 路包含一移位暂存器,一位准移位器,和一类比开 关。 16.如申请专利范围第4项的半导体装置,其中该电 路包含一移位暂存器,一位准移位器,和一类比开 关。 17.如申请专利范围第5项的半导体装置,其中该电 路包含一移位暂存器,一位准移位器,和一类比开 关。 18.如申请专利范围第6项的半导体装置,其中该电 路包含一移位暂存器,一位准移位器,和一类比开 关。 19.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中该基 底具有一绝缘表面。 20.如申请专利范围第2项的半导体装置,其中该基 底具有一绝缘表面。 21.如申请专利范围第3项的半导体装置,其中该基 底具有一绝缘表面。 22.如申请专利范围第4项的半导体装置,其中该基 底具有一绝缘表面。 23.如申请专利范围第5项的半导体装置,其中该基 底具有一绝缘表面。 24.如申请专利范围第6项的半导体装置,其中该基 底具有一绝缘表面。 图式简单说明: 图1表示检查基底和阵列基底之间的关系; 图2A-2D示意性地显示发光装置之制造方法; 图3表示整流电路和波形整形电路的电路图; 图4A和4B示意性地表示检查基底和阵列基底; 图5表示阵列基底和TFT基底之间的关系; 图6表示检查基底和阵列基底之间的关系; 图7A-7D表示本发明的典型实施例; 图8A-8C表示本发明的典型实施例; 图9A-9C表示本发明的典型实施例; 图10A和10B表示本发明的典型实施例; 图11表示本发明的典型实施例; 图12表示本发明的典型实施例; 图13表示本发明的典型实施例; 图14表示本发明的典型实施例; 图15A-15C表示本发明的典型实施例; 图16A-16C表示本发明的典型实施例; 图17A和17B表示本发明的典型实施例; 图18A和18B表示本发明的典型实施例; 图19A-19H表示在显示部分中采用根据本发明制造的 发光装置的电设备; 图20A和20B表示从交流向脉动电流被整流的讯号随 着时间的变化; 图21A-21C表示藉由增加脉动电流产生的直流随着消 逝时间的改变; 图22是表示在检测过程中阵列基底和检查基底的 透视图; 图23A-23C表示放大的线圈;和 图24A-24F表示本发明的典型实施例。
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