| 主权项 |
1.一种复晶矽闸极之制造方法,至少包括: 提供一基材; 形成一闸极氧化层于该基材上,其中该闸极氧化层 系由一高介电系数材料所构成; 形成一复晶矽闸极层于该闸极氧化层上; 形成一间隙壁于该复晶矽闸极层之两侧; 进行一蚀刻步骤,去除一部分之该复晶矽闸极层, 藉以使得该复晶矽闸极层之另一部份之表面低于 该间隙壁;以及 进行一定义步骤,系利用该复晶矽闸极层之该另一 部份与该间隙壁做为罩幕,去除未被该复晶矽闸极 层之该另一部份与该间隙壁所覆盖之该闸极氧化 层之一部分,以暴露出该基材之一部分。 2.如申请专利范围第1项所述之复晶矽闸极之制造 方法,更包括在上述之定义步骤之后,形成一金属 矽化物(Silicide)于该基材之该部分与该复晶矽闸极 层之该另一部份。 3.如申请专利范围第1项所述之复晶矽闸极之制造 方法,其中该高介电系数材料系由选自于由二氧化 锆(ZrO2)、三氧化二铝(Al2O3)、三氧化二钇(Y2O3)、二 氧化铪(HfO2)、二氧化镧(LaO-2)、锆矽氧化物(ZrSixOy) 、锆铝氧化物(ZrAlxOy)、铪矽氧化物(HfSixOy)、铪铝 氧化物(HfAlxOy)所组成之一族群。 4.如申请专利范围第1项所述之复晶矽闸极之制造 方法,其中上述之蚀刻步骤中,去除该复晶矽闸极 层之该部分之厚度约介于100至500之间。 5.如申请专利范围第1项所述之复晶矽闸极之制造 方法,其中上述之定义步骤系利用氩之溅击蚀刻制 程。 6.一种复晶矽闸极之制造方法,至少包括: 提供一基材; 形成一闸极氧化层于该基材上,其中该闸极氧化层 系由一高介电系数材料所构成; 形成一复晶矽闸极层于该闸极氧化层上; 进行一第一定义步骤,利用一光阻做为罩幕,藉以 去除部分之该复晶矽闸极层,以暴露出部分之该闸 极氧化层; 去除该光阻; 形成一间隙壁于该复晶矽闸极层之两侧; 进行一蚀刻步骤,去除一部分之该复晶矽闸极层, 藉以使得该复晶矽闸极层之另一部份之表面约低 于该间隙壁;以及 进行一第二定义步骤,系利用该复晶矽闸极层之该 另一部份与该间隙壁做为罩幕,去除未被该复晶矽 闸极层之该另一部份与该间隙壁所覆盖之该闸极 氧化层之一部分,以暴露出该基材之一部分。 7.如申请专利范围第6项所述之复晶矽闸极之制造 方法,更包括在上述之复晶矽闸极层上形成一抗反 射涂布层。 8.如申请专利范围第6项所述之复晶矽闸极之制造 方法,更包括在上述之第二定义步骤之后,形成一 金属矽化物于该基材之该部分与该复晶矽闸极层 之该另一部份。 9.如申请专利范围第6项所述之复晶矽闸极之制造 方法,其中该高介电系数材料系由选自于由二氧化 锆(ZrO2)、三氧化二铝(Al2O3)、三氧化二钇(Y2O3)、二 氧化铪(HfO2)、二氧化镧(LaO-2)、锆矽氧化物(ZrSixOy) 、锆铝氧化物(ZrAlxOy)、铪矽氧化物(HfSixOy)、铪铝 氧化物(HfAlxOy)所组成之一族群。 10.如申请专利范围第6项所述之复晶矽闸极之制造 方法,其中上述之蚀刻步骤中,去除该复晶矽闸极 层之该部分之厚度约介于100至500之间。 11.如申请专利范围第6项所述之复晶矽闸极之制造 方法,其中上述之定义步骤系利用氩之溅击蚀刻制 程。 12.一种复晶矽闸极之结构,至少包括: 一基材; 一闸极氧化层位于该基材上,并暴露出该基材之一 部份,其中该闸极氧化层系由一高介电系数材料所 构成; 一复晶矽闸极层位于该闸极氧化层上,其中该复晶 矽闸极层之宽度系小于该闸极氧化层之宽度,而暴 露出该闸极氧化层之一部份;以及 一间隙壁位于该复晶矽闸极层之两侧,其中该间隙 壁系位于该闸极氧化层暴露之该部分上。 13.如申请专利范围第12项所述之复晶矽闸极之结 构,其中上述之复晶矽闸极层之高度系等于该间隙 壁之高度。 14.如申请专利范围第12项所述之复晶矽闸极之结 构,其中上述之复晶矽闸极层之高度系小于该间隙 壁之高度。 15.如申请专利范围第12项所述之复晶矽闸极之结 构,更包括一金属矽化物位于该复晶矽闸极层之表 面与该基材之该部分之表面。 16.如申请专利范围第12项所述之复晶矽闸极之结 构,其中该高介电系数材料系由选自于由二氧化锆 (ZrO2)、三氧化二铝(Al2O3)、三氧化二钇(Y2O3)、二氧 化(HfO2)、二氧化镧(LaO-2)、锆矽氧化物(ZrSixOy)、锆 铝氧化物(ZrAlxOy)、铪矽氧化物(HfSixOy)、铪铝氧化 物(HfAlxOy)所组成之一族群。 图式简单说明: 第1a图至第1c图所绘示为习知利用湿蚀刻制程来制 造复晶矽闸极之制造流程图; 第2a图至第2c图所绘示为习知利用乾蚀刻制程来制 造复晶矽闸极之制造流程图;以及 第3图至第10图所绘示为利用本发明复晶矽闸极之 制造方法之流程图。 |
