| 主权项 |
1.一种闸极导体层,该闸极导体层横跨于一隔离区 与该隔离区内之一主动区上,该闸极导体层包括: 一第一部分,位于该主动区内,至少延伸至该隔离 区与该主动区之交界;以及 一第二部分,位于该隔离区内,该第二部分与该第 一部分相连,且该第一部分的线宽大于该第二部分 的线宽。 2.如申请专利范围第1项所述之闸极导体层,该第一 部分更包括延伸至该隔离区上。 3.如申请专利范围第2项所述之闸极导体层,该第一 部分延伸的长度大于等于微影制程解析度可以达 到的最小线宽,且小于相邻二主动区间距的一半。 4.如申请专利范围第2项所述之闸极导体层,该第一 部分延伸的长度介于30nm~150nm之间。 5.如申请专利范围第1项所述之闸极导体层,其中该 第一部分的线宽与该第二部分的线宽之比値与电 路设计布局之一微缩(shrink)比例相关。 6.如申请专利范围第5项所述之闸极导体层,其中该 第一部分的线宽与该第二部分的线宽之比値为该 微缩比例的倒数。 7.如申请专利范围第1项所述之闸极导体层,其中该 第一部分线宽为该第二部分线宽的1.01~2.00倍。 8.如申请专利范围第1项所述之闸极导体层,其中该 闸极导体层的材质包括多晶矽。 9.如申请专利范围第1项所述之闸极导体层,更包括 一金属矽化物,设置于该主动区上之该闸极导体层 顶部。 10.一种金氧半导体元件,该金氧半导体元件位于一 主动区上,且该主动区位于一隔离区内,该金氧半 导体元件包括: 一基底; 一闸介电层;以及 一闸极导体层,位于该闸介电层上,该闸极导体层 为横跨该主动区与该隔离区之一导体层的一部分, 该闸极导体层具有一第一线宽,该隔离区上与该闸 极导体层相连之该导体层具有一第二线宽,且该第 一线宽大于该第二线宽。 11.如申请专利范围第10项所述之金氧半导体元件, 该闸极导体层更包括延伸至该隔离区上。 12.如申请专利范围第11项所述之金氧半导体元件, 其中该闸极导体层延伸的长度大于等于微影制程 解析度可以达到的最小线宽,且小于相邻二主动区 间距的一半。 13.如申请专利范围第11项所述之金氧半导体元件, 其中该闸极导体层延伸的长度介于30nm~150nm之间。 14.如申请专利范围第10项所述之金氧半导体元件, 其中该第一线宽与该第二线宽的比値与电路设计 布局之一微缩(shrink)比例相关。 15.如申请专利范围第14项所述之金氧半导体元件, 其中该第一线宽与第二线宽的比値为该微缩比例 的倒数。 16.如申请专利范围第10项所述之金氧半导体元件, 其中该第一线宽为该第二线宽的1.01~2.00倍。 17.如申请专利范围第10项所述之金氧半导体元件, 其中该导体层的材质包括多晶矽。 18.如申请专利范围第10项所述之金氧半导体元件, 更包括一金属矽化物,设置于该闸极导体层顶部。 图式简单说明: 图1A至图1C为依照本发明之实施例所绘示之闸极导 体层的上视图。 图2为依照本发明之实施例所绘示之金氧半导体元 件的结构剖面图。 图3是绘示图2之金氧半导体元件的上视图。 |
