| 主权项 |
1.一种真空处理装置之腔室,其包含有: 一腔室主体,其具有一多边形状; 至少一侧壁单元,系可选择性地连接于该腔室主体 之一侧,并具有一水平部,其具有一曲面且平行于 该腔室主体之上表面;以及 一上面板单元及一下面板单元,该上面板单元及该 下面板单元选择性地各自连接于该侧壁单元与该 腔室主体之一上部及一下部,以覆盖该腔室主体之 该上部与该下部以及该侧壁单元。 2.如申请专利范围第1项所述之真空处理装置之腔 室,其中该腔室系为一转移腔室,系连接于至少一 真空处理腔室,该真空处理腔室于真空状态下对一 基板进行一蚀刻制程或是一沉积制程。 3.如申请专利范围第1项所述之真空处理装置之腔 室,其中该腔室主体包含有复数个次主体,系互相 连接并形成主体之多边形状。 4.如申请专利范围第1项所述之真空处理装置之腔 室,其中该腔室主体更包含有: 复数个第一水平框架及复数个第二水平框架,该第 一水平框架与该第二水平框架各自形成多边形;以 及 复数个垂直框架,该垂直框架各自连接该第一水平 框架与对应之该第一水平框架。 5.如申请专利范围第1项所述之真空处理装置之腔 室,其中该侧壁单元包含有一侧壁,其具有一曲面, 系平行于该腔室主体之上表面,以及一侧框架,系 位于该腔室主体及该侧壁之间,用以连接该侧壁及 该腔室主体。 6.如申请专利范围第1项所述之真空处理装置之腔 室,其中该上面板单元包含有一主体覆盖单元,系 覆盖该腔室主体之上部,及一侧覆盖单元,系覆盖 该侧壁单元之上部;以及 该下面板单元包含有一主体覆盖单元,系覆盖该腔 室主体之下部,及一侧覆盖单元,系覆盖该侧壁单 元之下部。 7.如申请专利范围第1项所述之真空处理装置之腔 室,其中该侧壁单元形成至少一开口,并藉由该开 口运送该基板。 8.如申请专利范围第1项至第7项任意之一所述之真 空处理装置之腔室,其中该上面板单元形成至少一 开口,且该开口连接于一通道单元,系用以开启或 关闭该开口。 9.如申请专利范围第8项所述之真空处理装置之腔 室,其中该通道单元藉由一固定单元连接于该上面 板单元,该固定单元之一端以可旋转关系连接于该 上面板单元,该固定单元之另一端选择性地与该上 面板单元连接,并旋转跨接于该通道单元。 10.一种具有腔室之真空处理装置,其包含有: 一腔室主体,其具有一多边形状; 至少一侧壁单元,系选择性地连接于该腔室主体之 一侧,且具有一曲面之水平部平行于该腔室主体之 一上表面;以及 一上面板单元及一下面板单元,该上面板单元及该 下面板单元可选择性地各自连接于该腔室主体之 一上部及一下部,以及该侧壁单元,以覆盖该腔室 主体之该上部与该下部以及该侧壁单元。 11.如申请专利范围第10项所述之具有腔室之真空 处理装置,其中该腔室系为一转移腔室,系连接于 至少一真空处理腔室,该真空处理腔室于真空状态 下对一基板进行一蚀刻制程或是一沉积制程。 12.如申请专利范围第10项所述之具有腔室之真空 处理装置,其中该腔室主体包含有复数个次主体, 系相互连接并形成该腔室主体之多边形状。 13.如申请专利范围第10项所述之具有腔室之真空 处理装置,其中该腔室主体包含有: 复数个第一水平框架及复数个第二水平框架,该第 一水平框架及该第二水平框架各自形成多边形;以 及 复数个垂直框架,该垂直框架各自连接该第一水平 框架与对应之该第一水平框。 14.如申请专利范围第10项所述之具有腔室之真空 处理装置,其中该侧壁单元包含有一侧壁,其具有 一曲面,系平行于该腔室主体之上表面,以及一侧 框架,系位于该腔室主体及该侧壁之间,用以连接 该侧壁及该腔室主体。 15.如申请专利范围第10项所述之具有腔室之真空 处理装置,其中该上面板单元包含有一主体覆盖单 元,系覆盖于该腔室主体之该上部,以及一侧覆盖 单元,系履盖于该侧壁单元之上部;以及 该下面板单元包含有一主体覆盖单元,系覆盖于该 腔室主体之该下部,以及一侧覆盖单元,系覆盖于 该侧壁单元之下部。 16.如申请专利范围第10项所述之具有腔室之真空 处理装置,其中该侧壁单元形成至少一开口,并藉 由该开口运送该基板。 17.如申请专利范围第10项至第16项任意之一所述之 具有腔室之真空处理装置,其中该上面板单元形成 至少一开口,且该开口连接于一通道单元,系用以 开启或关闭该开口。 18.如申请专利范围第17项所述之具有腔室之真空 处理装置,其中该通道单元藉由一固定单元连接于 该上面板单元,该固定单元之一端以可旋转关系连 接于该上面板单元,该固定单元之另一端选择性地 与该上面板单元连接,并旋转跨接于该通道单元。 图式简单说明: 第1图系为习知技术之真空处理装置之平面示意图 ; 第2图系为习知技术之具有多边形结构之真空处理 装置之转移腔室之剖面示意图; 第3图系为本发明之真空处理装置之平面示意图; 第4A图系为第3图所示之真空处理装置之转移机械 臂之透视图; 第4B图系为第3图所示之真空处理装置之转移腔室 之上面板透视图; 第5图系为第3图所示之真空处理装置之转移腔室 之透视图; 第6图系为第5图所示之真空处理装置之转移腔室 之分解示意图; 第7图系为第5图所示之部分转移腔室之施以真空 压力之侧壁之剖面示意图; 第8图系为第3图所示之真空处理装置之转移腔室 之透视图; 第9图系为第8图所示之转移腔室之分解示意图;以 及 第10图系为第3图所示之另一实施例之转移腔室之 平面示意图。 |
