| 主权项 |
1.一种具有接触层之装置,包括: 一基板,具有一主动区域,且该主动区域至少包括 一主动元件; 一焊接衬垫区域,系围绕于该主动区域,其中该焊 接衬垫区包括多数个焊接衬垫,该等焊接衬垫包括 稳定导电材料;以及 一接触层,系用以使该等焊接衬垫与该主动元件产 生耦合,并强化各焊接衬垫与该主动元件之间的导 电性。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该主动元件包 括OLED单元。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该稳定导电材 料包括导电性氧化物材料。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中该稳定导电材 料包括锡锢氧化物(ITO)、锌铟氧化物、氧化锌或 氧化锡。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该稳定导电材 料包括导电性氧化物材料。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中该稳定导电材 料包括锡铟氧化物(ITO)、锌铟氧化物、氧化锌或 氧化锡。 7.如申请专利范围第6项之装置,其中该接触层包括 导电性金属。 8.如申请专利范围第7项之装置,其中该接触层包括 铝、金、银、铜、铬或镍。 9.如申请专利范围第7项之装置,进一步包括封装该 接触层之保护层。 10.如申请专利范围第9项之装置,其中该保护层包 括绝缘材料。 11.如申请专利范围第10项之装置,其中该保护层系 包含光阻材料、线型酚醛清漆树脂、聚亚醯胺树 脂或聚间氮杂氧。 12.如申请专利范围第1项之装置,其中该接触层包 括导电性金属。 13.如申请专利范围第12项之装置,更包括封装该接 触层之保护层。 14.如申请专利范围第2项之装置,其中该主动元件 包括形成于第一导电层与第二导电层之间的至少 一层有机层。 15.如申请专利范围第14项之装置,其中该第一导电 层包括稳定导电材料。 16.如申请专利范围第15项之装置,其中该第一导电 层会延伸到该焊接衬垫区上。 17.如申请专利范围第16项之装置,其中该稳定导电 材料包括导电性氧化物材料。 18.如申请专利范围第17项之装置,其中该稳定导电 材料包括锡铟氧化物(ITO)、锌铟氧化物、氧化锌 或氧化锡。 19.一种具有接触层之装置,包括: 一基板,具有一主动区域,且该主动区域至少包括 一主动元件; 一顶盖焊接区,系围绕于该主动区域; 一焊接衬垫区域,系围绕于该顶盖焊接区域,其中 该焊接衬垫区包括多数个焊接衬垫区,该等焊接衬 垫包括稳定导电材料; 一接触层,系用以使该等焊接衬垫与该主动元件产 生耦合,并强化各焊接衬垫与该主动元件之间的导 电性;以及 一顶盖,系焊接于基板上的顶盖焊接区内以封装该 装置。 20.如申请专利范围第19项之装置,其中该焊接衬垫 区系落在离开该顶盖焊接区大约0.12毫米处。 21.如申请专利范围第19项之装置,其中该主动元件 包括形成于第一导电层与第二导电层之间的至少 一层有机层。 22.如申请专利范围第21项之装置,其中该第一导电 层包括稳定导电材料。 23.如申请专利范围第22项之装置,其中该第一导电 层会延伸到该焊接衬垫区上。 24.如申请专利范围第23项之装置,其中该稳定导电 材料包括导电性氧化物材料。 25.如申请专利范围第24项之装置,其中该稳定导电 材料包括锡铟氧化物(ITO)、锌铟氧化物、氧化锌 或氧化锡。 26.如申请专利范围第19项之装置,其中该稳定导电 材料包括导电性氧化物材料。 27.如申请专利范围第26项之装置,其中该稳定导电 材料包括锡铟氧化物(ITO)、锌铟氧化物、氧化锌 或氧化锡。 28.如申请专利范围第19项之装置,其中该接触层包 括导电性金属。 29.如申请专利范围第28项之装置,其中该接触层包 括铝、金、银、铜、铬或镍。 30.如申请专利范围第28项之装置,更包括封装该接 触层之保护层。 31.如申请专利范围第30项之装置,其中该保护层包 括绝缘材料。 32.如申请专利范围第31项之装置,其中该保护层包 括光阻、线型酚醛清漆树脂(novolak resin)、聚亚醯 胺树脂或聚间氮杂氧(polybenzoxazole)。 图式简单说明: 第1图显示的是一种习知OLED装置。 第2图显示的是一种习知OLED装置内焊接衬垫与外 部驱动电路之间的互连设备。 第3图显示的是一种根据本发明一实施例之有机装 置300。 第4图显示的是一种根据本发明一实施例之有机装 置内的接触层、互连材料层和驱动电路之间的互 连设备。 第5到9图显示的是一种用于制造根据本发明一实 施例之有机装置的程序步骤。 |
