| 发明名称 |
PROCESS FOR FORMING COMPLEMENTARY INTEGRATED CIRCUIT DEVICES |
| 摘要 |
Un procédé de formation d'anneaux de garde (28, 29) dans des dispositifs à circuits intégrés à transistors complémentaires comprend uniquement une seule étape d'extra masquage tout en permettant une commande précise du dopage dans les anneaux de garde. Le procédé est avantageusement utilisé en commençant avec une structure à double baignoire pour former des dispositifs de circuits intégrés CMOS. |
| 申请公布号 |
WO8303709(A1) |
申请公布日期 |
1983.10.27 |
| 申请号 |
WO1983US00369 |
申请日期 |
1983.03.17 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC. |
发明人 |
PARRILLO, LOUIS, CARL;REUTLINGER, GEORGE, WILLIAM;WANG, LI-KONG |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/06;(IPC1-7):01L21/225;01L21/316;01L21/265 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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