MEMOIRE DE LECTURE PROGRAMMABLE ET SON PROCEDE DE FABRICATION

摘要

UN SEMICONDUCTEUR DU GENRE PROM COMPORTE UN GROUPE DE CELLULES PROM 12 CONSTITUEES CHACUNE PAR UNE PAIRE DE DIODES OPPOSEES QUI SONT ORIENTEES VERTICALEMENT DE FACON QUE LEUR REGION INTERMEDIAIRE COMMUNE 22 CONFINE COMPLETEMENT A UNE REGION D'OXYDE ISOLANTE ENFONCEE 16. UNE COUCHE ENTERREE COMPOSEE CONSTITUEE PAR DES REGIONS ENTERREES 32 QUI CONFINENT A LA REGION ISOLANTE AU-DESSOUS DES REGIONS DE CELLULE INFERIEURES 20, ET UN RESEAU ENTERRE 44 DU TYPE DE CONDUCTION OPPOSE QUI ENTOURE LATERALEMENT CHAQUE REGION ENTERREE, EST UTILISEE POUR AMELIORER L'EFFICACITE DE LA PROGRAMMATION ET POUR APPLIQUER DES INTERCONNEXIONS ELECTRIQUES. PENDANT LA REALISATION DU PROM, LA REGION ISOLANTE SERT DE MASQUE AUX AGENTS DE DOPAGE UTILISES POUR LA DEFINITION DES DIODES. LES REGIONS DE CELLULES INTERMEDIAIRES SONT APPLIQUEES PAR IMPLANTATION D'IONS AFIN D'OBTENIR UNE CONCENTRATION DE DOPAGE MAXIMALE PRES DE LEURS CENTRES POUR SIMPLIFIER LA REALISATION DANS DE GRANDES MATRICES.