发明名称 THERMAL PLATE WITH PLANAR THERMAL ZONES FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
摘要 반도체 플라즈마 처리 장치 내의 기판 지지 어셈블리를 위한 열적 플레이트는,스케일링 가능한 다중화 층 내에 배열된 다중의 독립적으로 제어가능한 평면형 열적 존과, 상기 평면형 열적 존을 독립적으로 제어하고 전력을 공급하기 위한 전자 기술을 포함한다. 각각의 평면형 열적 존은 열전기 요소로서 적어도 하나의 펠티에 디바이스를 사용한다. 상기 열적 플레이트가 합체된 기판 지지 어셈블리는 정전기적 클램핑 전극 층 및 온도 제어형 베이스 플레이트를 포함한다. 상기 열적 플레이트를 제조하는 방법은 평면형 열적 존을 갖는 세라믹 또는 폴리머 시트와, 양 전압 라인, 음 전압 라인 및 공통 라인과, 비아 (via) 를 포함한다.
申请公布号 KR101643828(B1) 申请公布日期 2016.07.29
申请号 KR20147010282 申请日期 2012.09.17
申请人 램 리써치 코포레이션 发明人 개프 키이스 윌리암;커멘댄트 키이스;리치 앤서니
分类号 H01L21/30;H01L21/324;H01L21/683 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人
主权项
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