| 摘要 |
양자우물 구조의 활성영역을 갖는 발광 소자가 개시된다. 이 발광 소자는, 질화갈륨 계열의 n형 화합물 반도체층, 질화갈륨 계열의 p형 화합물 반도체층 및 상기 n형 및 p형 화합물 반도체층들 사이에 개재된 활성 영역을 포함한다. 상기 활성 영역은 상기 n형 화합물 반도체층측으로부터 상기 p형 화합물 반도체층측으로, 제1 장벽층, 제2 장벽층, 제3 장벽층, 우물층 및 제4 장벽층을 이 순서로 포함한다. 또한, 상기 제2 장벽층은 상기 제1 장벽층에 비해 좁은 에너지 밴드갭을 갖고, 상기 제3 장벽층은 상기 제2 장벽층에 비해 넓은 에너지 밴드갭을 갖고, 상기 제4 장벽층은 상기 제2 장벽층에 비해 넓은 에너지 밴드갭을 갖는다. 상기 제1 내지 제4 장벽층들의 에너지 밴드갭을 제어함으로써 우물층 내로의 전자의 공급을 원활하게 함과 아울러, 우물층의 스트레인을 감소시켜 내부양자효율을 향상시킬 수 있다. |
