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<P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UNE DIODE RAPIDE.</P><P>CETTE DIODE, DE TYPE PNN COMPREND, OUTRE LES COUCHES HABITUELLES 10, 11 ET 12, UNE COUCHE SUPPLEMENTAIRE 13 ENTRE LA COUCHE N ET LA COUCHE N. LA COUCHE 13 AINSI QUE LA COUCHE 11 SONT OBTENUES PAR EPITAXIE SUR LE SUBSTRAT 10. LA COUCHE 13 A UN NIVEAU DE DOPAGE INTERMEDIAIRE ENTRE CEUX DES COUCHES N ET N.</P>
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