Semicoductor memory device for reducing current at PASR mode

摘要

본 발명은 부분 셀프 리플레시 모드에서 전류 소모를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치를 공개한다. 본 발명의 반도체 메모리 장치는 복수개의 뱅크와 적어도 하나의 패리티 뱅크를 구비하고, 복수개의 뱅크 중 일부 선택된 뱅크 각각에서 셀프 리플레시를 수행할 특정 영역을 자유롭게 선택하여 리플레시 동작을 수행한다. 또한 셀프 리플레시를 수행할 특정 영역에 대해 패리티 뱅크에 저장되는 에러 정정 코드를 사용하여 데이터를 검증한다.