Reactor for reactive ion etching, and etching process.

摘要

Der Reaktor weist eine plattenförmige, horizontal angeordnete und an einer Wechselspannung liegende Kathode (3) in einem geerdeten Gehäuse (2) und Gaseinlaß- und Gasauslaßleitungen auf. Die Kathode (3) ist mit Mittel versehen, um lokale, auf den Bereich der einzelnen Substrate (9) beschränkte Magnetfelder zu erzeugen. Die Kathode (3) kann außerdem Löcher aufweisen, in welchen senkrecht zur Substratoberfläche verschiebbare Substrathalter (8) angeordnet sind. Die Substrate (9) werden in den Reaktor mittels des Plasmas (6), welches aus mindestens einem reaktiven Gas erzeugt wird, geätzt. Dabei ist jedes Substrat (9) mindestens einem lokalen Magnetfeld ausgesetzt. Soll ein überwiegend chemisch ätzbares Material in Gegenwart eines überwiegend physikalisch ätzbaren Materials wesentlich stärker als das letztere geätzt werden, so läßt sich ein dafür günstiges Ätzgeschwindigkeitenverhältnis einstellen, indem die Substrate (9) zusätzlich über die Kathodenoberfläche angehoben werden.