| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING A ONE-TRANSISTOR MEMORY CELL EMPLOYING THE DOUBLE SILICON LAYER TECHNIQUE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0053672(A3) |
申请公布日期 |
1983.10.05 |
| 申请号 |
EP19810108182 |
申请日期 |
1981.10.09 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
HOFMANN, RUDIGER, DR. |
| 分类号 |
H01L27/10;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/82;H01L21/32 |
主分类号 |
H01L27/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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