PROCEDE D'IMPLANTATION D'IONS NON SOUMIS A UNE ANALYSE DE MASSE ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS REALISE A L'AIDE DE CE PROCEDE

摘要

DANS LE PROCEDE D'IMPLANTATION IONIQUE SANS ANALYSE DE MASSE SELON LA PRESENTE INVENTION, DANS LEQUEL DEUX OU PLUS DE DEUX ESPECES D'IONS DE LA MEME POLARITE AYANT DES MASSES IONIQUES TRES DIFFERENTES SONT ENGENDREES A PARTIR D'UNE SOURCE FORMEE PAR UNE MATIERE COMPOSEE, ON ACCELERE LES IONS PAR APPLICATION D'UN CHAMP ELECTRIQUE, ET ON FAIT EFFECTUER UN BALAYAGE AUX IONS ACCELERES A L'AIDE D'UN CHAMP MAGNETIQUE POUR LES IMPLANTER DANS UNE CIBLE SUIVANT UN PROFIL DE DISTRIBUTION QUI VARIE AVEC LES ESPECES D'IONS. L'APPAREIL D'IMPLANTATION D'IONS PEUT ETRE SIMPLIFIE ET ON PEUT UTILISER UN COURANT DE FAISCEAUX D'IONS IMPORTANT AVEC UN SPOT DE GRANDE DIMENSION GRACE A QUOI ON PEUT IMPLANTER DES IONS DANS LA CIBLE EN GRANDE QUANTITE ET EN UN BREF LAPS DE TEMPS.

APPLICATION : ENTRE AUTRES, FABRICATION DE BATTERIES SOLAIRES ET DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS.