发明名称 Plasma-reactor and its use in etching and coating substrates.
摘要 <p>Der Plasmareaktor weist in einer Reaktionskammer zwei zueinander parallele, übereinander angeordnete plattenförmige Elektroden (1, 2) auf, wobei auf der unteren Elektrode (1) die Substrate (3) liegen und diese Elektrode außerdem in der Mitte eine Öffnung (5) hat, durch welche Gas in den Elektrodenraum geleitet oder aus ihm abgesaugt wird, und wobei die obere Elektrode (2) an einer hochfrequenzten Wechselspannung liegt und in Bereichen (4) kein Elektrodenmaterial aufweist, welche der Lage und der Gestalt nach durch die auf der unteren Elektrode (1) liegenden Substrate (3) bestimmt sind und mindestens über den Substraten (3) eine selektive Schwächung des elektrischen Feldes im Elektrodenraum bewirken. Die beschriebene Ausbildung der oberen Elektrode (2) bewirkt, daß bei sonst gleichen Bedingungen das Plasmaatzen der Substrate (3) und das Plasmaabscheiden von Material auf Substraten (3) mit großerer Geschwindigkeit erfolgt als bei Verwendung von Plasmareaktoren mit oberen Elektroden, welche ganzflächig Elektrodenmaterial aufweisen.</p>
申请公布号 EP0089382(A1) 申请公布日期 1983.09.28
申请号 EP19820102224 申请日期 1982.03.18
申请人 IBM DEUTSCHLAND GMBH;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 HINKEL, HOLGER, DR. DIPL.-PHYS.;KAUS, GERHARD, DR. DIPL.-MIN.;KRAUS, GEORG;KUNZEL, ULRICH, DR. DIPL.-CHEM.;MUHL, REINHOLD
分类号 H01L21/302;C23C4/00;C23C16/50;C23C16/509;C23F4/00;H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/31;(IPC1-7):23C15/00;23C11/08;23C13/08 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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