AN ELECTRICALLY ALTERABLE, NONVOLATILE FLOATING-GATE MEMORY DEVICE

摘要

Un dispositif de mémoire rémanente à porte flottante et modifiable électriquement a un rendement amélioré d'écriture grâce à une extension (28.2) de la porte flottante (28.0). L'extension (28.2) s'étend sur la ligne collectrice (20) d'un dispositif de mémoire adjacent et fournit à la porte flottante (28.0) une capacitance supplémentaire pendant l'opération d'écriture, ce qui permet d'obtenir un rendement d'écriture plus élevé pour une tension donnée.