| 发明名称 |
PROCEDE POUR TIRER DU SILICIUM MONOCRISTALLIN SUR UNE COUCHE FORMANT MASQUE |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA FORMATION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN SUR UNE COUCHE FORMANT MASQUE.</P><P>SELON L'INVENTION, UNE COUCHE EN SILICIUM MONOCRISTALLIN EST FORMEE SUR UNE COUCHE FORMANT MASQUE 14 SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 10; UNE COUCHE FORMANT MASQUE A OUVERTURES 14 EST DISPOSEE SUR LA SURFACE 12 DU SUBSTRAT 10 ET UNE COUCHE EPITAXIEE EST ALORS TIREE PAR UN CYCLE A DEUX ETAPES DE DEPOTATTAQUE; EN REPETANT LE CYCLE DE DEPOTATTAQUE UN CERTAIN NOMBRE DE FOIS, DU SILICIUM MONOCRISTALLIN 20 CROIT A PARTIR DE LA SURFACE 12 DU SUBSTRAT 10, A TRAVERS L'OUVERTURE 16 DU MASQUE 14 ET AU-DESSUS DE LA COUCHE FORMANT MASQUE 14.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX SEMI-CONDUCTEURS.</P>
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| 申请公布号 |
FR2522695(A1) |
申请公布日期 |
1983.09.09 |
| 申请号 |
FR19820022189 |
申请日期 |
1982.12.31 |
| 申请人 |
RCA CORP |
发明人 |
JOHN FRANCIS CORBOY JR., LUBOMIR LEON JASTRZEBSKI, SCOTT CARLTON BLACKSTONE ET ROBERT HENRY PAGLIARO JR. |
| 分类号 |
C30B25/04;C23C16/24;C30B29/06;H01L21/20;H01L21/205;(IPC1-7):30B29/06 |
主分类号 |
C30B25/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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