(A) ;SEMICONDUCTOR LASER HAVING BURIED HETERO-STRUCTURE,申请号JP19820029857U-传众专利搜索

发明名称	(A) ;SEMICONDUCTOR LASER HAVING BURIED HETERO-STRUCTURE
摘要
申请公布号	JPS58131784(U)	申请公布日期	1983.09.06
申请号	JP19820029857U	申请日期	1982.03.02
申请人		发明人
分类号	F21V33/00;A47K1/00;A47K1/02;E04B9/34;(IPC1-7):A47K1/00;E04B5/62;F21S3/02	主分类号	F21V33/00
代理机构		代理人
主权项
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