SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

Dispositif à semiconducteurs possédant une jonction hétéro, dans lequel une couche de silicium polycristallin ou amorphe (7) dopée avec de l'oxygène est formée sur un substrat semiconducteur de silicium monocristallin (1) en tant que film de passivation, et des impuretés sont dopées uniquement dans des parties prédéterminées de la couche (7), formant ainsi une couche semiconductrice possédant le type de conductivité désirée. L'étape de photogravure requise jusqu'à présent peut être éliminée en formant la couche de silicium polycristallin ou amorphe dopée par de l'oxygène (7) et en dopant ensuite des impuretés possédant le type de conductivité désirée.